Компания Samsung Electronics официально заявила о запуске массового производства графической памяти GDDR5 по 50-нм техпроцессу. Муиз Дин (Mueez Deen), руководитель подразделения Samsung Semiconductor по графической и мобильной памяти, сказал, что столь ранний запуск массового производства чипов GDDR5-памяти поможет компании удовлетворить растущий рыночный спрос на высокопроизводительную память для персональных компьютеров, графических ускорителей и игровых консолей.

На данный момент GDDR5 является наиболее быстрой памятью в мире, запуск производства позволит Samsung внести значительный вклад в увеличение производительности игровых приложений на всех платформах. Максимальная скорость передачи данных для модулей GDDR5 составляет 7 Гб в секунду. Ширина полосы пропускания находится на уровне 28 Гб/с, для сравнения — полоса пропускания GDDR4 составляет 12,8 Гб/с. 

Применение 50-нм технологии памяти позволит увеличить эффективность производства на 100% в сравнении с технологией 60-нм. Для функционирования памяти нового типа достаточно напряжения 1,35 В, что позволит потреблять на 20% меньше электроэнергии, чем при использовании GDDR4.