Четверг, 06.02.2025, 09:44
Приветствую Вас Гость | RSS
Главная | | Регистрация | Вход
Меню сайта
Категории раздела
Железо
Мобильные новости
Гаджеты
ПК & Ноутбуки
Телевизоры
Фото и Видео
Технологии
Периферия
Мониторы
Технологии
Информационная Безопасность
Форма входа
Поиск
Календарь
«  Февраль 2012  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
  12345
6789101112
13141516171819
20212223242526
272829
Статистика
Hi-Tech технологии
Главная » 2012 » Февраль » 25 » Samsung выпустила 30-нм 4-Гбит чипы LPDDR2
22:41
Samsung выпустила 30-нм 4-Гбит чипы LPDDR2
Требования, предъявляемые производителями смартфонов к комплектующим, постоянно растут. Желая удовлетворить спрос, компания Samsung Electronics разработала чипы оперативной памяти типа LPDDR2 ёмкостью 4 Гбит.

Новые микросхемы нацелены на смартфоны среднего уровня. Производитель уверен, что в 2012 году память именно такого объёма станет массовой в отрасли мобильных устройств связи. Чипы спроектированы на основе 30-нм техпроцесса и способны функционировать на скорости до 1,6 Гбит/с. При объединении микросхем можно обеспечить пропускную способность 6,4 Гбит/с. Напряжение питания при этом составляет 1,2 В.
Samsung планирует использовать данные чипы в своих смартфонах и, возможно, планшетах.
Категория: Железо | Просмотров: 427 | Добавил: Smit | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]
Хостинг от uCozCopyright MyCorp © 2025